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三極管及MOS管場效應管(MOS管)RU1HE12L
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圖像僅供參考,請參閱產品規格書

MOS場效應管(單) Ruichips RU1HE12L

制造商型號:RU1HE12L
制造商:Ruichips
封裝/規格:TO-252 供應商編號:RU1HE12L
商品編號:DS0141708
商品描述:
N溝道 VDS=100V VGS=±20V ID=12A(Tc) P=40W(Tc)

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  • PDF數據手冊
  • 技術文檔
產品分類

場效應管(MOS管)

三極管及MOS管

FET配置(電路類型)

N溝道

漏源擊穿電壓V(BR)dss

100V

漏極電流(Id, 連續)

12A(Tc)

導通電阻 Rds(on)

160毫歐

閾值電壓Vgs(th)

[email protected]μA

最大耗散功率

40W(Tc)

封裝/外殼

TO-252

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RU1HE12LRuichips設計生產,在華秋商城現貨銷售,并且可以通過 等渠道進行代購。RU1HE12L價格參考¥0.66700。RuichipsRU1HE12L封裝/規格:TO-252,N溝道 VDS=100V VGS=±20V ID=12A(Tc) P=40W(Tc)。你可以下載RU1HE12L中文資料、引腳圖、Datasheet數據手冊功能說明書,資料中有場效應管(MOS管)詳細引腳圖及功能的應用電路圖電壓和使用方法及教程



手機版:RU1HE12L

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